SSD

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1650 МБайт/с, случайный доступ: 290000/260000 IOps

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1500 МБайт/с, случайный доступ: 300000/420000 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND

480 ГБ, 2.5", SATA 3.0

1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 450/320 МБайт/с, случайный доступ: 40000/40000 IOps

960 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/1400 МБайт/с, случайный доступ: 520000/82000 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/460 МБайт/с

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps

1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/1900 МБайт/с, случайный доступ: 700000/114000 IOps

512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND

500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4500/2500 МБайт/с, случайный доступ: 150000/300000 IOps, DRAM-буфер

3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/22000 IOps

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/3000 МБайт/с, случайный доступ: 410000/600000 IOps, SLC-кэш

1.6 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/1900 МБайт/с, случайный доступ: 700000/200000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5013-E13, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/1100 MBps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps, DRAM-буфер

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1871/1145 MBps

3.84 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6900/4100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps

1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 91000/38000 IOps